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美光恢復報價全面調漲 DDR5漲勢兇猛試探市場水溫
- AI帶動存儲器市況快速回溫，內(nèi)存大廠美光（Micron）日前曾暫停報價，隨著財報公布后，已恢復對外報價，DRAM及NAND Flash雙雙應聲上漲，除了即將停產(chǎn)的DDR4供應稀缺下，漲幅最高超過2成，DDR5也呈現(xiàn)強勁漲勢。 供應鏈指出，近期云端服務（CSP）客戶搶貨積極，帶動服務器相關產(chǎn)品價格明顯反彈，若終端報價調漲一舉成功，上游內(nèi)存顆粒第4季價格也將順應接受調漲。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務執(zhí)行長Sumit Sadana在財報會議后指出，對于2025年會計年度的營運成果感到非常振奮，不僅營收成長了將近50%，
- 關鍵字： 美光 調漲 DDR5
DDR4退場，國產(chǎn)CPU面臨小考
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始，DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過 160%。甚至，相同內(nèi)存條件下，DDR4 的價格比 DDR5 更貴，形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評價：「從來沒見過，即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時，價格飆得如此之高?！棺鳛榕c CPU 直接交互的存儲介質，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存儲器）的技術規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
- 關鍵字： DDR4 DDR5
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關稅擔憂可能引發(fā)恐慌性購買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內(nèi)一個關鍵的關注點是新的美國關稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應緊張程度遠比 DDR5
- 關鍵字： 存儲 DDR4 DDR5 市場分析
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關鍵字： DDR5 DRAM
用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結構制造，可實現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
- 關鍵字： DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
- 關鍵字： 內(nèi)存 DDR4 DDR5
Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術升級
- 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴展、可調整的高性能架構。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心領域的多家領先客戶建立合作
- 關鍵字： Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內(nèi)存IP 云端AI
DDR4加速退場，DDR5成為主流
- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
- 關鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內(nèi)存 HBM
瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一
- 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
- 關鍵字： 瀾起科技 DDR5 存儲
SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領數(shù)據(jù)中心存儲技術創(chuàng)新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應用于服務器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
- 關鍵字： SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數(shù)據(jù)中心存儲
瑞薩率先推出第二代面向服務器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應商在內(nèi)的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
- 關鍵字： 瑞薩 DDR5 MRDIMM 內(nèi)存接口芯片組
消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
- 關鍵字： 三星 內(nèi)存 DDR5
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